Counterpoint的一份報告， 再次引發(fā)外界對內(nèi)存繼續(xù)漲價的擔憂。
根據(jù) Counterpoint Research 最新發(fā)布的《GenAI 的內(nèi)存解決方案》雙周報告，內(nèi)存價格預計將在2026年Q2之前，在當前基礎上再上漲約50%。
據(jù)悉，受關鍵芯片短缺影響，今年以來內(nèi)存價格已累計上漲50% 。在此基礎上，內(nèi)存價格預計將在2025年Q4繼續(xù)上漲 30%，并可能在明年初再上升約20%。
目前，傳統(tǒng) LPDDR4 面臨的漲價風險最大。
當前的核心問題之一是傳統(tǒng)LPDDR4供給趨緊。為了滿足AI對先進新品的強勁需求，供應商紛紛將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向更高端的工藝，導致整體市場結(jié)構被打亂。
于是，現(xiàn)貨市場價格出現(xiàn)倒掛：服務器和PC使用的DDR5交易價格約為Gb 1.50 美元，而用于消費電子產(chǎn)品的老款 DDR4價格卻高達2.10美元（比DDR5貴了40%），甚至高于目前約1.70 美元的先進HBM3e。
報告指出，當前的芯片短缺主要集中在傳統(tǒng)產(chǎn)品端，這對使用LPDDR4的經(jīng)濟型智能手機等低價消費電子產(chǎn)品造成了影響。
“真正更大的風險來自先進內(nèi)存，英偉達近期轉(zhuǎn)向 LPDDR意味著其需求量已達到大型智能手機制造商的規(guī)�！@對供應鏈來說是一個巨大的沖擊，因為它無法輕易消化如此大規(guī)模的需求�！�
傳統(tǒng)上，服務器依賴DDR ECC（糾錯碼）內(nèi)存以保證可靠性，而英偉達選擇轉(zhuǎn)向使用 LPDDR，以實現(xiàn)更低的功耗，并將糾錯邏輯轉(zhuǎn)移到CPU側(cè)，而非依賴 DDR5 ECC。
目前的短缺主要出現(xiàn)在中低端智能手機市場，對經(jīng)濟型智能手機制造商造成了沖擊�！暗@種影響很可能會向整個智能手機與消費電子生態(tài)系統(tǒng)蔓延�！�
高級分析師Ivan Lam表示，“我們所看到的是智能手機BOM成本的顯著攀升，部分機型的漲幅可能達15%。這將波及核心的中高端市場，進一步壓縮利潤率或拖累增長，甚至很可能兩者同時發(fā)生�！�
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